“好，好，你说吧，只要你的主意有用，我就是去求爷爷告奶奶，去作揖下跪，我都去把钱弄来。”

“用不着，你们那么多校友呢，你看燕邮募集来多少钱了啊，你们这体量，不可能募集不来一些资金啊，先启动了再说呗，后面有国家有银行呢。要打破这个怪圈，只有两个办法，一个是国家死命砸钱根本不管怎么亏，亏一年能亏出去个5000亿吗？亏不了。这样集中力量办大事，发动能发动的一切力量，不按套路出牌，超速发展，一举追上他们。第二个办法就是等，等领先者遇到瓶颈了，他们有个坎儿很难迈过去，而你又咬紧牙关砸钱亏钱追，肯定能追上。”

“你说得轻巧，国家现在哪儿哪儿都是窟窿，哪儿哪儿都要发展，半导体这个行业不是靠投入就能投出来的。你第二个办法更不靠谱。”

“第一个办法要有力度，最大的力度。第二个办法还真就靠谱，他们马上就要碰到坎儿了。业界普遍认为193n光刻无法延伸到65n技术节点，而157n将成为主流技术。然而，157n光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料都会强烈地吸收157n的光波，所以这个就是他们的坎儿。”

“你仔细和我说说。”

“现在国外几家大厂都是使用duv，也就是深紫外光，通过氟化氪krf准分子激光来产生波长248n的光，这种光刻机是现在的主流，他们实验室里现在已经基本研发完了通过氟化氩arf准分子激光来产生波长193n光波的下一代光刻机，193n光刻机没问题。但用f2准分子激光产生波长157n的光就是个大坑了，他们过不去了，技术解决不了。瓶颈出现了，咱们追赶的机会来了。”

“那他们的解决办法是什么？”

“研发euv光刻机，也就是极紫外光刻技术。极紫外光刻使用波长在135n的软x射线来光刻，相当于用了一把更小、更锋利的‘刀’。极紫外光刻是5n等更先进制程的必需工艺。但因为euv不能穿透透镜，只能用特殊的反射镜来对焦，这样euv的能量损失会很大，需要更长的曝光时间，会严重影响生产速度，这也就是euv光刻机难以大规模量产的原因。因此我确信euv光刻技术15年内完成不了原型机，20年内量产无望。”

“你确定？”

“我十分确定一定以及肯定。我了解到的信息是荷兰阿斯麦公司会联合花旗国的几家企业攻坚euv这个难题，不带咱们玩，当然，他们也不代表日系厂商玩。尼康和佳能会死磕157n光刻机，这个是死路一条，等到他们衰落下去了咱们可以联合他们在国内建厂，吸收他们的技术以后，再一起研发euv光刻机，7n以下的制程，duv光刻机就不行了。”